Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
120 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
PG-TO252-3
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Modo de Canal
Mejora
Material del transistor
SiC
Número de Elementos por Chip
2
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€ 0,353
Each (On a Reel of 2000) (Sin IVA)
MOSFET Infineon IPD038N06NF2SATMA1, VDSS 60 V, ID 120 A, PG-TO252-3 de 3 pines, 2elementos
2000
€ 0,353
Each (On a Reel of 2000) (Sin IVA)
MOSFET Infineon IPD038N06NF2SATMA1, VDSS 60 V, ID 120 A, PG-TO252-3 de 3 pines, 2elementos
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2000
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
---|---|---|
2000 - 2000 | € 0,353 | € 706,38 |
4000+ | € 0,344 | € 687,67 |
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InfineonTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
120 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
PG-TO252-3
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Modo de Canal
Mejora
Material del transistor
SiC
Número de Elementos por Chip
2